Четверг, 01 авг. 2024 г., 11:15 утра
к Молли О'ЛириДиректор по связям с правительством
к Зак ИсаковицДиректор по связям с правительством
На этой неделе члены Палаты представителей от обеих партий выступили с инициативой укрепить лидерство США и глобальную конкурентоспособность в области проектирования полупроводников, представив Закон о развитии и исследованиях полупроводниковых технологий (STAR) 2024 года. Законопроект направлен на стимулирование проектирования микросхем в США путем предоставления 25%-ного инвестиционного налогового кредита на проектную деятельность, проводимую в США.
Представители Блейк Мур (республиканец от Техаса), Майкл Маккол (республиканец от Техаса), Дорис Мацуи (демократ от Калифорнии), Сьюзан Дельбене (демократ от Западной Австралии), Джон Муленаар (республиканец от Мичигана), Раджа Кришнамурти (демократ от Иллинойса), Ро Кханна (демократ от Калифорнии), Джо Морелл (демократ от Нью-Йорка) и Клаудия Тенни (республиканец от Нью-Йорка) представили этот важный законопроект, который поможет поддержать достижения в области проектирования микросхем и полупроводниковых технологий, которые определяют экономическое и технологическое лидерство США.
Полупроводниковые устройства питают современную экономику, от искусственного интеллекта и мобильных устройств до центров обработки данных, медицинского оборудования, энергетических технологий и электромобилей. Проектирование чипов стимулирует функциональность и инновации этих технологий, позволяя чипам получать, передавать, обрабатывать и хранить постоянно растущие объемы данных для современного цифрового мира. Лидерство в проектировании чипов также способствует инновациям в области кибербезопасности, что снижает риск злонамеренного вмешательства.
Процесс проектирования следующего поколения полупроводников является крайне сложным, междисциплинарным и требует многих лет НИОКР, тысяч инженеров и сотен миллионов — или даже миллиардов — долларов инвестиций. В то время как американские компании являются давними лидерами в области проектирования микросхем, мировые конкуренты продолжают вводить целевые стимулы для привлечения разработчиков микросхем и оспаривания лидерства США в области проектирования. Такие страны, как Корея и Индия, предлагают 50% налоговый кредит на проектирование микросхем, а Китай предлагает 220% супервычета на НИОКР в области полупроводников. Напротив, в США нет целевых стимулов для проектирования микросхем, и компании должны амортизировать внутренние расходы на НИОКР в течение пяти лет. Без действий США рискуют потерять экономические и национальные преимущества безопасности, связанные с технологическим преимуществом и статусом «первопроходца».
Понимая стратегическую важность лидерства в полупроводниковой промышленности, Конгресс в 2022 году принял двухпартийный Закон о CHIPS и науке, включающий 25% инвестиционный налоговый кредит для стимулирования расширения экосистемы полупроводников в Соединенных Штатах. Существующий кредит имеет жизненно важное значение для стимулирования увеличения инвестиций в ключевые части цепочки поставок полупроводников, тем самым укрепляя экономику США и национальную безопасность. Однако этот кредит ограничен инвестициями в производство полупроводников и оборудования для производства полупроводников и исключает критически важные виды деятельности в цепочке создания стоимости полупроводников, такие как проектирование. Законодательство, представленное на этой неделе, расширяет сферу действия кредита, охватывая проектирование микросхем, признавая, что проектирование полупроводников является неотъемлемой частью долгосрочных целей экономического роста США, укрепления национальной безопасности и технологического лидерства.
В то время, когда полупроводниковая промышленность делает исторические инвестиции в отечественное производство микросхем и устойчивость цепочек поставок, принятие законопроекта, представленного на этой неделе, поможет сохранить этот импульс и стимулировать будущие инновации. SIA поддерживает Закон STAR 2024 года и призывает Конгресс принять этот критически важный закон, чтобы США оставались конкурентоспособным местом для критически важной проектной деятельности.
